近年來在光通信、光互連巨大需求的推動下，硅基光電子集成技術蓬勃發(fā)展。但由于硅是間接帶隙半導體，發(fā)光效率不高，硅基光源這一核心器件成為制約其發(fā)展的瓶頸，特別是符合超高速光通信和波分復用要求的單色性好、波長精確可控的硅基激光器一直沒有實現。將發(fā)光特性優(yōu)良的III－V族化合物半導體材料直接外延生長到晶格不匹配的硅襯底上，并制作高性能硅基半導體激光器一直被視為實現大規(guī)模、低成本、高性能硅基光源和光電集成芯片的關鍵核心技術途徑。
近日，中山大學光電材料與技術國家重點實驗室余思遠教授團隊與英國倫敦大學學院（UCL）劉會赟教授團隊合作，成功實現了國際首例硅基外延生長電抽運室溫連續(xù)工作分布反饋式（DFB）激光器陣列芯片。
余思遠團隊依托其近年建設的先進光電子集成工藝平臺，采用劉會赟團隊的先進硅基外延量子點增益材料，成功制備了硅基直接外延生長的集成多波長分布反饋（DFB）激光器陣列芯片。
該芯片將是未來光通信技術的核心芯片，這項研究將我國的核心光電子集成芯片技術推向國際頂尖水平，對于在激烈的國際高技術競爭背景下打破國際壟斷，占領未來技術高地，提升我國自主研發(fā)能力，具有重要意義。
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