激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下邏輯芯片制造前道工序中不可缺少的關鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導體激光光源，通過多組不同功能的激光光學整形系統及光學勻化系統，在工作距離下可達成12mm*70μm的極窄線激光光斑，將形成的高能量密度極窄激光光斑照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時間內將表層原子層加熱到1000°C以上再急速冷卻，從而有效減少前道工序中產生的晶圓電極缺陷，提高產品性能，提升晶圓生產良品率。

炬光科技推出的DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統，結合了產生光子的共晶鍵合技術、激光光源熱管理技術、熱應力控制技術以及調控光子的激光光束轉換技術和光場勻化技術，可生成一條線寬70μm，長寬比達160:1的近紅外波段極窄線光斑，提供高達1800W/mm²的連續能量輸出，在光斑長度方向上可達到＞95%的光斑均勻性和＞98%的連續輸出能量穩定性，同時還具備工藝點溫度監測，輸出光束質量在線檢測等附加功能。

其關鍵性能指標有（參考圖片測試數據）：

DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統在設計時充分考慮了加工效率、維護便捷性、產品可靠性及可拓展性，具有極佳的性能優勢，可應用在半導體前道工序中，完成動態表面退火（DSA）、激光尖峰退火（LSA）等加工工藝。 

典型產品測試數據

DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統

炬光科技將通過技術創新、卓越制造和快速響應，為成為全球可信賴的光子應用解決方案提供商而不斷努力。