8月31日，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司發布了2023年半年度報告。報告顯示，受經濟增速放緩，激光器市場需要仍舊疲軟，公司產品價格策略調整等影響，長光華芯上半年實現營業收入14,213.36萬元，同比下降43.23%；歸屬于上市公司股東凈利潤-1,063.74萬元，同比下降 117.97%。

長光華芯聚焦半導體激光細分行業，主營業務為半導體激光芯片、器件及模塊等激光行業核心元器件的研發、制造與銷售。主要產品包括高功率單管系列產品、高功率巴條系列產品、高效率VCSEL系列產品及光通信芯片系列產品等，逐步實現高功率半導體激光芯片的國產化。

公司緊跟下游市場發展趨勢，不斷開發具有領先性的產品、創新優化生產制造工藝、布局建設生產線，已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的四大類、多系列產品矩陣，為半導體激光行業的垂直產業鏈公司。

經過多年的研發和產業化積累，針對半導體激光行業核心的芯片環節，長光華芯已建成覆蓋芯片設計、外延生長、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺和2吋、3吋、6吋量產線，應用于多款半導體激光芯片開發，突破一系列關鍵技術，是少數研發和量產高功率半導體激光芯片的公司之一。

長光華芯產品可廣泛應用于：光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半導體激光輸出加工應用、激光智能制造裝備、國家戰略高技術、科學研究、醫學美容、激光雷達、機器視 覺定位、智能安防、消費電子、3D傳感與攝像、人臉識別與生物傳感等領域。

長光華芯始終重視研發創新能力建設，持續加大對高功率芯片和模塊、光通信產品、VCSEL產品、激光無線能量傳輸芯片、直接半導體激光器產品的投入，使產品保持創新性及領先性。

據了解，長光華芯上半年在以下各項產品的研發取得了進展，形成了自主的產品矩陣：

高功率半導體激光芯片從國產替代，到行業領先

2023年2月，基于在photonics west報道的芯片技術，長光華芯開發了更高功率芯片寬條寬半導體激光芯片，在業內首次推出最大功率超過66W的單管芯片（熱沉溫度為室溫），芯片條寬290μm，最大效率超過70%，工作效率超過63%，這是迄今已知報道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

上半年，長光華芯還推出了9XXnm 50W高功率半導體激光芯片，在寬度為330μm 發光區內產生50W的激光輸出，光電轉化效率高（大于等于 62%），現已實現大批量生產、出貨，是目前市場上量產功率最高的半導體激光芯片。

另外，公司9XXnm光纖激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固體激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地節約單瓦材料成本，為客戶創造價值。

VCSEL應用不斷拓展，市場規模預期增長

根據IMARC Group數據，2022年，全球垂直腔表面發射激光器（VCSEL）市場的規模達17億美元，預計到2028年，該市場規模將達到45億美元，2023-2028 年間的復合年均增長率（CAGR）為17.4%。

公司的VCSEL芯片是長光華芯橫向拓展中重要的發展方向，現在主要有三方面應用：

1、消費電子，主要用于手機、AR/VR等終端應用、3D傳感領域；公司將于下一階段在3D傳感領域形成規模銷售；

2、光通信，短距離傳輸，應用于數據中心；

3、車載激光雷達芯片，已通過車規IATF16949和AECQ認證。公司已成為汽車廠商合規可靠的車載激光雷達芯片供應商。

除車載雷達用VCSEL激光器芯片外，公司還積極布局開發車載EEL邊發射激光器及1550 nm光纖激光器的泵浦源產品，隨著項目的推進，將進一步鞏固長光華芯全套激光雷達光源方案提供商的市場地位。

隨著VCSEL自身技術的不斷發展，以及與其他技術的結合使用，未來VCSEL將迎來更多的新興應用，比如用于眼動追蹤、速度監測、PM2.5空氣質量監測等。

進入高端光通信領域，光通信產品實現量產

長光華芯的單波100G EML (56GBd EML通過PAM4調制)和50G VCSEL（25G VCSEL 通過 PAM4 調制）實現量產。公司光通信產品為當前400G/800G 超算數據中心互連光模塊的核心器件。AI驅動高速光模塊需求快速釋放，根據Omdia數據，2025年高速光通信芯片市場規模有望達到43.40億美元。

塑料激光穿透焊接領域新進展

依托完整的垂直產業鏈平臺，長光華芯使用完全自制的芯片，在國內率先推出完全自主的1710nm直接半導體激光器，主要用于1 mm以下透明/白色塑料的激光穿透焊。1710nm波長的激光在透明/白色塑料的吸收率上，會高出比它更短波長的激光的幾倍至10倍，能完美的把透明塑料元件焊接在一起，使用更靈活、 焊接更美觀。

目前已在客戶端批量應用，在產品的性能及性價比上得到了市場的較好回饋。

激光無線能量傳輸芯片引領科技前沿

激光無線能量傳輸技術具有高能量密度和遠距離傳輸優勢?？梢詾樵谲壭l星、無人機、移動終端等裝備持續供電/補電，擁有廣闊的應用前景。

上半年，長光華芯研究團隊發布了全半導體激光無線能量傳輸芯片及系統的最新 成果，包括808 nm和1 μm的發射端激光芯片及模塊、接收端單/多結激光電池芯片及模塊、激光無線傳能系統。

2023年4月19日，公司CTO王俊博士做了相關學術報告 《Semiconductor laser and power converter for optical wireless power transmission》，該報告為國內外首次報告全半導體全自主全鏈路的激光無線能量傳輸芯片。

橫向拓展氮化鎵方向，進軍可見光領域

全資子公司蘇州半導體激光創新研究院與中科院蘇州納米所成立“氮化鎵激光器聯合實驗室”，為拓展氮化鎵材料體系的藍綠激光方向奠定了基礎，并與團隊合資成立蘇州鎵銳芯光科技有限公司。

第三代半導體材料（寬禁帶半導體）氮化鎵（GaN）以及其合金氮化物是直接帶隙半導體，其可調節的能帶寬度使其發光波長覆蓋從深紫外、可見光直至紅外的寬廣的波譜范圍。

氮化鎵半導體激光器具有直接發光、高效率、高穩定性等優勢，藍光和綠光波段 的 GaN 激光器產品，已經在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR 微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領域具有廣泛應用，總體市場需求超百億元且呈現較高的復合增長趨勢。

參考 Market and Market 、Yole 等機構的增長幅度測算，預計到2026年全球氮化鎵元件市場規模將增長到423億美元，年均復合增長率約為 13.5%。

鎵銳芯光團隊是國內最早從事氮化鎵基激光器研究的團隊，曾先后攻破關鍵核心技術，研制出國內首顆氮化鎵基藍光和綠光激光器芯片，填補國內在氮化鎵的藍綠光激光2023年半年度報告19 / 183器領域的空白，研發成果和技術水平國內領先、國際一流。目前該公司研制的綠光激光器光功率已達1.2W，處于國際先進水平。大功率藍光激光器光功率已達7.5W，達到國際一流水平。相關產品已進入可靠性驗證階段，明年一季度可向市場推出產品。