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來源：國防科技信息網2015-02-13
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2015年1月29日，位于立陶宛維爾紐斯市的Brolis半導體有限公司，推出了超寬增益和高輸出功率的單角面（SAF）增益芯片，可用于1900
Brolis公司是由Augustinas Vizbaras，Kristijonas Vizbaras 和Dominykas Vizbaras兄弟在2011年創建，主業是中紅外I型銻化鎵（GaSb）激光二極管和分子束外延（MBE）。基于公司的專利技術，新的芯片具有大于100nm可調諧單模發射，側模抑制比（SMSR）超過25dB，連續波輸出功率為5–20mW。輸出光束是嚴格的TE00模式。新產品采用TO5或C型封裝。輸出光束的方向垂直于封裝平面。
2015年2月10-12日，國際光學工程學會（SPIE）舉辦的2015美國舊金山光電展上，Brolis公司展位在4102號（北廳D）。
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