一、照明用LED光源照亮未來

　　隨著市場的持續增長，LED制造業對于產能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術迅速成為LED制造業普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業標準。

　　激光刻劃LED刻劃線條較傳統的機械刻劃窄得多，所以使得材料利用率顯著提高，因此提高產出效率。另外激光加工是非接觸式工藝，刻劃帶來晶圓微裂紋以及其他損傷更小，這就使得晶圓顆粒之間更緊密，產出效率高、產能高，同時成品LED器件的可靠性也大大提高。

　　Spectra-Physics工業激光器具有高峰值功率以及卓越的光束質量等優勢，是LED加工的理想工具，為LED工業帶來潔凈的刻劃線條、更高的產能以及成品LED更高的亮度。

　　激光刻劃的優勢

　　- 可以干凈整齊的刻劃硬脆性材料

　　- 非接觸式工藝低運營成本

　　- 減少崩邊、微裂紋、分層等缺陷的出現

　　- 刻劃線條窄提高了單片晶圓上的分粒數量

　　- 減少微裂紋提高了成品LED器件的長期可靠性

　　- 大范圍的加工容差使得工藝可控性良好，是低成本高可靠性的工藝。

　　二、LED激光刻劃概述

　　單晶藍寶石(Sapphire)與氮化鎵(GaN)屬于硬脆性材料(抗拉強度接近鋼鐵)，因此很難被切割分成單體的LED器件。采用傳統的機械鋸片切割這些材料時容易帶來晶圓崩邊、微裂紋、分層等損傷，所以采用鋸片切割LED 晶圓，單體之間必須保留較寬的寬度才能避免切割開裂傷及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產出效率。

 　　激光加工是非接觸式加工，作為傳統機械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區之間制造非常細小的切口，從而能夠在有限面積的晶圓上面切割出更多LED單體。激光刻劃對砷化鎵(GaAS)以及其他脆性化合物半導體晶圓材料尤為擅長。激光加工LED晶圓，典型的刻劃深度為襯底厚度的1/3到1/2這樣分割就能夠得到干凈的斷裂面，制造窄而深的激光刻劃裂縫同時要保證高速的刻畫速度這就要求激光器具備窄脈寬、高光束質量、高峰值功率、高重復頻率等優良品質。

　　并不是所有的激光均適合LED刻劃，原因在于晶圓材料對于可見光波長激光的透射性。GaN對于波長小于365nm的光是透射的，而藍寶石晶圓對于波長大于177nm的激光是半透射的，因此波長為355nm和266nm的三、四倍頻的調Q全固態激光器(DPSSL)是LED晶圓激光刻劃的最佳選擇。盡管準分子激光器也可以實現LED刻劃所需的波長，但是倍頻的全固態調Q激光器體積更小，較準分子激光器維護少得多，質量方面全固激光器刻劃線條非常窄，更適合于激光LED刻劃。

　　激光刻劃使得晶圓微裂紋以及微裂紋擴張大大減少， LED單體之間距離更近，這樣既提高了出產效率也提高了產能。一般來講，2英寸的晶圓可以分離出20,000個以上的LED單體器件，如此高的密度，因而切割的切縫寬度就會顯著影響分粒數量，減少微裂紋對于分粒后的LED器件的長期可靠性也會有明顯的提高。激光刻劃較傳統的刀片切割不但提高了產出效率，同時提高了加工速度，避免的刀片磨損帶來的加工缺陷與成本損耗，總之激光加工精度高，加工容差大，成本低。