并不是所有的激光均適合LED刻劃，原因在于晶圓材料對于可見光波長激光的透射性。GaN對于波長小于365nm的光是透射的，而藍寶石晶圓對于波長大于177nm的激光是半透射的，因此波長為355nm和266nm的三、四倍頻的調Q全固態激光器（DPSSL）是LED晶圓激光刻劃的最佳選擇。盡管準分子激光器也可以實現LED刻劃所需的波長，但是倍頻的全固態調Q激光器體積更小，比準分子激光器所需的維護更少，而且在質量方面，全固激光器刻劃線條非常窄，更適合于激光LED刻劃。

　　激光刻劃使得晶圓微裂紋以及微裂紋擴張大大減少， LED單體之間距離更近，這樣既提高了出產效率也提高了產能。一般來講，2英寸的晶圓可以分離出20000個以上的LED單體器件，因而切割的切縫寬度就會顯著影響分粒數量；減少微裂紋對于分粒后的LED器件的長期可靠性也會有明顯的提高。激光刻劃與傳統的刀片切割相比，不但提高了產出效率，同時提高了加工速度，避免了刀片磨損帶來的加工缺陷與成本損耗，總之，激光加工精度高，加工容差大，成本低。

　　總結：

　　隨著照明市場的持續增長，LED制造業對于產能和成品率的要求變得越來越高。激光刻劃技術將成為LED制造業普遍使用的技術，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業標準。