近日，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱“中電科二所”）傳來好消息，在SiC激光剝離設(shè)備研制方面，取得了突破性進展。

該科研團隊已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ)，并利用自主搭建的實驗測試平臺，結(jié)合特殊光學(xué)設(shè)計、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術(shù)，實現(xiàn)了小尺寸SiC（碳化硅）單晶片的激光剝離。

中電科二所以解決SiC襯底加工效率這一產(chǎn)業(yè)突出難題為目標(biāo)，將SiC激光剝離設(shè)備列為重點研發(fā)裝備，借此實現(xiàn)激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化，力爭使其具備第三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化和整線裝備解決方案的能力。據(jù)報道，該研發(fā)項目已通過專家論證，正式立項啟動。

中國電科二所于1962年成立于北京，1965年遷入太原。

公開消息顯示，多年來，該所立足自主裝備與產(chǎn)業(yè)融合，已形成了高端制造裝備和工藝技術(shù)集成的能力。目前，中國電科二所的科研方向以智能制造、微電子、第三代半導(dǎo)體和新能源等為主。近20年來，其自主研發(fā)的碳化硅材料、微組裝設(shè)備等均達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平；實現(xiàn)了光伏新能源、微電子共燒陶瓷器件、碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化。