光刻機已是當下中國芯片制造的最大瓶頸，為此中國芯片產業鏈一直都在共同努力，力求打破這一難關，而哈工大公布的光刻機技術將有助于打破這個環節，國產芯片的先進工藝問題將因此得以解決。

光刻機的研發難度非常大，雖然全球僅有ASML可以生產出先進光刻機，然而ASML自身也無法完全搞定整個光刻機元件，它自己僅能完成其中10%的零部件，其他零部件需要全球20多個國家的5000多家企業配合，由此可見光刻機這條產業鏈多么長。

中國的光刻機研發進展落后于其他環節，恰恰就在于產業鏈需要逐步完善，由于眾所周知的原因，中國不僅難以買到先進光刻機，連先進光刻機的元件都難以買到，迫使我們建設自己的光刻機產業鏈。

此前在國內產業鏈的支持下，已逐步解決了雙工作臺、物鏡系統、激光光源等諸多光刻機零部件，這次哈工大研發的“高速超精密激光干涉儀”，這項技術是14納米光刻機的重要技術，可以確保掩膜工作臺、雙工作臺和物鏡系統之間復雜的相對位置，實現光刻機的整體套刻精度，可以確保諸多元件整合成系統后的芯片工藝精度，已是光刻機的最后技術之一，也意味著國產先進光刻機即將完成最后的步驟。

對于芯片制造工藝來說，14納米光刻機并不僅限于生產14納米工藝，通過多重曝光技術可以實現接近7納米的工藝，其實此前臺積電和三星都并非是從14納米一步邁進到7納米，還研發了10納米、8納米等工藝，甚至在7納米工藝上也有7納米和7納米EUV之分，故以14納米光刻機生產接近7納米工藝的芯片是有可能的。

國產芯片除了在芯片制造工藝方面努力之外，還積極開發小芯片技術，通過將兩塊芯片堆疊可以大幅提升性能；將不同工藝、不同功能的芯片封裝在一起也能大幅提升性能，這些技術臺積電、Intel都在嘗試，因為當前的硅基芯片達到3納米之后已接近極限，開發芯片封裝技術已成為芯片行業發展的一個方向。

國產芯片制造工藝如果能達到7納米，加上小芯片技術，那么國產芯片的性能可望進一步提升至接近5納米，到那個時候，困擾國產芯片的最大障礙將被徹底解決，美國意圖以先進芯片技術阻礙中國科技體系發展的圖謀將破產。

其實國產芯片如今在多條途徑上發展先進芯片，上述這些都是基于現有的硅基芯片技術，而歐美發展硅基芯片技術已有近百年歷史，這讓他們在硅基芯片方面保持著領先優勢，中國除了在硅基芯片上加快追趕之外，還在開發更先進的芯片技術，如量子芯片、光子芯片、碳基芯片技術等，這將是中國芯片彎道超車的機會。

在這些先進芯片技術方面，中國已取得一些優勢，2022年底至今，中國已先后籌建了全球第一條量子芯片生產線、光子芯片生產線，凸顯出中國在先進芯片技術方面的突破，這些先進芯片技術在加速推進量產，一旦實現商用就將具有趕超歐美的實力。

總的來說美國阻礙中國芯片產業發展的計劃已不可能，反而是激發了中國芯片行業的潛力，短短數年時間在諸多芯片技術方面都取得突破，中國芯片或許在不久的將來打破美國在芯片技術方面的領先優勢，正是有見及此，美國才會在諸多技術方面施加限制，反過來恰恰說明了中國芯片確實取得了巨大的進展，讓它深感威脅。