國產光刻機核心技術再迎突破，哈工大成功研制出了高速超精密激光干涉儀，目前可用于350nm到28nm工藝的光刻機樣機集成研制和性能測試，意味著我們離光刻機又近了一步。

要想發展半導體，光刻機是繞不過去的一個環節。早在2018年，中芯國際就預訂了一臺EUV光刻機，但一直沒有到貨。到2023年1月底，美國聯合日本、荷蘭簽署“協議”，進一步阻止向我國出售DUV光刻機，企圖在芯片制造設備這個環境打壓中國半導體的發展，在光刻機這條道路上，可以說走得非常曲折。

從華為遭遇老美打壓后，嚴重暴露出我國在高端芯片的短板，核心就是要解決光刻機問題。中科院院長白春禮：中科院將集結精銳力量組織系統攻關，有效解決一批“卡脖子”問題。光刻機便是其中的一項，在中科院的號召下，我國上海微電子堅持自主研發，立志突破光刻機核心技術。

目前在國產光刻機技術已有重大進展，根據媒體報道，在2022年，上海微電子在國產90nm光刻機已經取得了突破，在多重曝光技術，可以將芯片制程縮小到22nm。另外，上海微電子和國內多個廠商聯合，多個核心技術突破消息頻頻傳來。如華為公布了光刻機技術相關的專利；前方還有另一條好消息傳來，上海微電子生產的首臺2.5D/3D先進封裝光刻機順利交付并正式投入使用。

這是我國光刻機一項關鍵技術，采用這種激光干涉儀，才能滿足掩膜工作臺、硅片雙工作臺、物鏡系統復雜的相對位置和姿態測量需求，保證光刻機的整體套刻精度，這對國產光刻機有什么意義呢？

這項技術解決我國高端裝備發展和量子化計量基準等前沿研究的“卡脖子”問題。團隊突破系列核心測量方法和工程化關鍵技術，該領域存在的測不準、測不精、測不快的核心難題將被徹底解決。

眾所周知，EUV光刻機涉及10萬個零部件，來自全球100多個國家，即使是荷蘭阿斯蘭也無法制造出光刻機所有的零部件，也需要從其他國家進口，完成光刻機的組裝。所以說光刻機是一個十分精密復雜的設備。涉及光源、雙工件臺、物鏡是光刻機的三大核心系統。目前在雙工件臺、物鏡核心技術，我國早已突破，只剩下光源方面。

早在2021年，清華大學的研發團隊發明了一種名為“穩態微聚束”（SSMB）的加速器光源，這種新型加速器光源能夠實現大功率、高中頻以及窄帶寬輻射，它可以為光刻機的研發提供相關技術。其實，對于光源技術相信也即將迎來好消息。這也意味著，國產光刻機即將迎來突破。

可以說，我國在光刻機方面發展速度還是非常快的，阿斯麥曾多次發出預警：中國突破光刻機，只是時間問題。

在傳統芯片產業上，我國已經取得了很多不錯的成績，光刻機需要突破，也一定會突破。在新的道路上，我國也走在世界的前列，無論在傳統道路上還是借助新賽道一旦取得突破，美國就再也沒有辦法了。