在高驅動電流下GaN的效率降低了，關于這個下降起源的爭論一直在持續著，光電流測量為它帶來轉機。

據估計，由InGaN量子阱諧振光激勵生成的載流子限制了LED,使它不具備這個特定的層結構。但來自RPI的FredSchubert及合作伙伴展示了這些受光激發的載流子能從阱中泄露出去，即便是當這些結構長得不偏不倚的。

這個發現為LED下降的早期性實驗研究投下了陰影。Schubert小組之前宣布電子泄露是下降的原因，他們猜想，在一個InGaN/GaN異質結構中，它所含InGaN層的諧振光激勵不能導致載流子逃逸，就如實驗說明的。PhilipsLumi作相同的猜想，他們宣稱光學實驗揭示了俄歇式復合導致了下降問題。

RPI現在的觀點是，他們的實驗無法決定到底哪個才是下降的原因，俄歇復合還是載荷逃逸?

這個光電流實驗用到的是一個300×300μm器件，器件內含一個常規的InGaN/GaN多量子阱以及一個電子阻擋層。當使用405nm的光源泵浦時，這些406nmLED可在全偏條件下產生明顯的光電流，在激發功率是1mW時，零偏壓器件的光電流超過15μA.

一些LED團體的研究人員認為，不同的樣品才是導致不同下降起源的根本原因;為了解決這個問題，RPI開始調查這些來自其他制造商的樣品，Fred的兒子Martin Schubert表示，“我們測量所有樣品在諧振激勵下的載流子逃逸”.

現在這個小組打算重溫早期的工作，包括外量子效率和光致光效率之間的對比。MartinSchubert解釋道，“我們也將期待其他的實驗，更進一步研究偏壓條件下LED在干些什么”